中文：温度梯度；英文：temperature gradient

慢，容易产生温度梯度，并对成像分辨率造成影响，因而需要购买物镜加热器等多个设备以实现稳定的热平衡状态以及减小对成像分辨率的影响，为实验带来诸多不便。基于以上问题，Interherence公司推出了用于超分辨显微镜中精确控制样品温度的VAHEAT显微温度控制器，VAHEAT显微温度控制器可实现对温度的精准控制并对超分辨率成像不产生影响。除此之外，与传统的温度加热仪器相比，VAHEAT显微温度控制器具有结构紧凑、与各类显微镜兼容、多种加热模式的优良特性。VAHEAT显微温度控制器有两种智能基板，基底是玻璃制成的，带有储液器的凹槽是由与生物细胞具有相容性的硅树脂制成的，符合大多数细胞的培养。图 1： ...

拟的锂电池组温度梯度图二、光栅监测原理理想情况下的锂离子电池是希望离子能够在电极材料之间可逆地脱出和嵌入，不发生电极片上材料消耗、电解液分解、金属锂的不可逆沉积等情况，然而实际电池中总有许多诸如上述类似的副反应发生，逐渐降低电池的使用性能，导致失效。这个失效的过程无法使用传统的传感器检测，如热电偶或热电阻，尽管对温度的检测可以告诉我们热过程已经被改变，但热电阻无法告诉我们在热过程发生改变前，电池内部的物理或结构状态发生了怎样的变化，即温度检测是结果反映，锂电池内部的状态变化才是过程反映，如枝晶的生长，材料的脱落，介质膜的失效等等。将光栅植入锂电池内部，这个过程是在制造锂电池的过程中就已经完成。 ...

和整个视场的温度梯度 - 作为散热片的浸泡物镜。图 2：a) 使用 63x/1.4 NA 油浸物镜时的散热效果表征。平衡至 37°C 的大型环境室不足以将样品保持在 37°C。当浸入式物镜接触样品时，温度至少降低 3°C，并且永远不会回到 37°C，因为物镜连接到显微镜主体，显微镜主体在室温下位于腔室外部。VAHEAT 用于表征温度下降并补偿物镜的冷却效果。开启 VAHEAT 后，热沉效应仅在前 10 秒内出现，当温度降至 36.2°C 时，仪器反馈回路会对其进行校正。这样，样品始终精确地保持在 37°C。b) 旋转圆盘共焦装置光学成像中心 Erlangen，数据采集地。二、显微镜温度控制的常 ...

顶光束轮廓，温度梯度边缘更陡峭，从而显著减少诸如凝固和碳化等热副作用。但是，闪光灯泵浦铒激光的低重复频率难以做到均匀切除，这使得它至今难以运用与肿瘤手术中。新的二极管泵浦铒激光系统使脉冲重复频率提升至高达2 kHz，消除了这一缺点。此外，它提供了可调的泵浦电流以及从1到1000 μs 的可变脉冲持续时间，并提供更好的光束质量，允许耦合进入纤芯尺寸200 μm的光纤。在之前的体外研究中已经表明，在软、硬组织中都可以实现平滑和均匀的切割。来自德国的Pantec公司生产的DPM系列中红外激光器是新一代的2~3um半导体泵浦脉冲激光器, 输出波长包括2020nm, 2810nm，2940nm等,平均功 ...

度，无需担心温度梯度或热漂移。系统可较好地适用于高分辨率和超分辨率应用。3.如何放置、更换智能基板？答：显微镜适配器有两个可拆卸部件：75 x 25 毫米大小的板和磁性连接的连接器，电缆将两个部件与控制箱连接起来。从板上拆下连接器后，可以插入或更换智能基板。4.VAHEAT可适用于那些领域？答：目前已成功应用于活细胞（如多细胞肿瘤球体中的Ca2+活性或神经元的热刺激）、生物物理系统、薄膜、药物和聚合物的成像设施、独立研究小组和工业研究部门。更多的应用领域正在探究中。5.智能基板的尺寸是多少？答：智能基板为18 x 18 mm2，厚度为 170μm（标准范围）或 500μm（扩展范围）。标准范围 ...

品方向上没有温度梯度可看成一维传热。根据交流量热法的公式(1)可得出样品的温度变化与距激光加热点间的距离x的关系，其中，式中a是样品水平方向上的热扩散率，x是激光加热点到传感器的距离，c是样品体积比热容，f是激光频率，h是样品厚度，Q是吸收的热流，p是样品密度。由(1)式可以得到样品热扩散率与温度变化的关系。依据式中幅度的变化称为幅度法；依据相位的变化称为相位法。由于幅度法测量薄膜的热扩散率依赖薄膜吸收的热量会产生较大的实验误差所以可采用相位法。相位法测量样品热扩散率是根据热源与传感器之间的相位差和距离之间的关系，并进行差值化处理：，其中为激光热源与探测器之间的距离，令，即可通过计算相位相对的 ...

这将允许通过温度梯度产生自旋电流，或者使用自旋电流进行热传输。可以用作自旋敏感逻辑器件的两种可能的逻辑元件都是三端器件，并被称为“自旋晶体管”，以强调与基于电荷的“传统”电子器件的类比。它们的工作原理如下:基极电流在发射极(E)和基极(B)之间运行。由于半导体-金属界面处形成的肖特基势垒，导致热电子注入形成基极的金属三层中。这些电子被上层调频层自旋极化。到达集热器(C)的热电子随后由下调频层进行自旋分析，因此，如果调频层的磁化结构从平行切换到反平行，集热器电流的大小就会发生显著变化。室温下电流增强已达到300%以上。在这种三端器件中集成绝缘阻挡层，使实验人员能够灵活地在不同的偏置电压下操作同一 ...