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CCD的电荷存储构成CCD的基本单元是MOS（金属-氧化物-半导体）结构。如下图，在栅极不施压的情况下，P型半导体中多数载流子空穴的分布是均匀的。在栅极施加小于P型半导体阈值电压Uth时，在半导体内产生耗尽区。当栅极电压继续增加，并大于阈值电压后，耗尽区的深度和栅极电压成正比。将半导体与绝缘界面上的电势记为表面电势Φs，表面电势随着栅极电压Ug的增加而增加。下图描述了二者在不存在反型层电荷时，不同氧化层厚度下表面电势和栅极电压之间的关系。从曲线中看出，氧化层厚度越薄，曲线的直线性越好。当栅极电压Ug不变时，表面电势Φs和反型层电荷密度Qinv之间的关系。下图可以看出，Φs随着Qinv的增加而线 ...
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