磁各向异性的外延多层体系中的畴，通过考虑效应的对比规律和深度灵敏度。梯度效应也可以很好地应用于图像精细过渡和域调制。图1图1比较了Kerr效应、Voigt效应和梯度效应之间的现象差异。在不同条件下，在光学偏光显微镜下对具有两个正交磁化轴的铁硅晶体的典型畴图进行了成像，如图所示。在每种情况下，通过选择适当的入射光和通过正确设置显微镜中的偏光器，分析器和补偿器来产生对比度。克尔效应在磁化矢量上是线性的，因此图1中的四个畴相以不同的颜色显示。在V光效应中成像的相同图案只显示两种颜色，每个磁化轴一种。这种对比是独立于磁化方向，因为V光效应取决于二次磁化矢量。梯度效应对磁化强度的变化很敏感。因此，在这种 ...
膜通过分子束外延生长在500 μm取向蓝宝石(0001)衬底上的12 nm Pt缓冲层上，采用电子光刻技术制备了厚度为15 nm的CoPt3点。它们具有较大的垂直磁晶各向异性和铁磁行为，其特征是定义良好的平方磁滞回线，矫顽力场为±3.7 kOe。圆点的直径可在0.2 ~ 1 μm范围内变化。下面只给出1 μm点的结果。图1实验配置能成像纳米结构的形貌以及磁化的动力学。图1为泵脉冲激励后直径为1µm的CoPt3点在不同时间延迟下的微分磁化图像。注意，在当前的测量中，激发不是固定在点的中心，而是在成像过程中与探针光束一起移位。图a、b和c的序列表明，可以监测磁点磁化的空间动态。了解更多详情，请访问 ...
膜通过分子束外延生长在沉积在500 um取向蓝宝石(0001)衬底上的12 nm Pt缓冲层上，通过电子光刻制成的圆盘的直径为0.2 ~ 1m，圆盘之间的距离为0.5 ~ 2um。图2图2(a)表示时间的变化泵浦激励密度为4 mJ cm−2，外加磁场设置为3.5 kOe，使静态磁化达到饱和。插图描绘了超快磁化动力学的详细视图。图2(b)表示类似的曲线，但激发密度为8 mJ cm−2。初始退磁发生在泵浦脉冲期间，对应于自旋的激光加热，发生在电子的热化过程中由于探针脉冲持续时间为180秒，这里的热化过程没有得到解决。注意，对于zui大激励密度[图2(b)]，初始退磁完成。然后再磁化发生在两个主要步 ...
，对于分子束外延生长的单层和双层InSe，价带zui大值和zui小值的能量分离为~ 100 meV。这和的宽度在同一个数量级上PL(图1、2a和2b)表明低能尾的极化减少可能是由于价带的散射。如果您对磁学测量有兴趣，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/three-level-150.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等 ...
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