中文：晶胞；英文：unit cell

SRAM记忆晶胞所制成。DMD上层结构的制造是从完整CMOS内存电路开始，再透过光罩层的使用，制造出铝金属层和硬化光阻层(hardened photoresist) 交替的上层结构，铝金属层包括地址电极 (address electrode)、绞链(hinge)、轭 (yoke) 和反射镜，硬化光阻层则 作为牺牲层 (sacrificial layer)，用来形成两个空气间 (air gaps)。铝金属会经过溅镀沉积 (sputter-deposited) 以及电浆蚀刻 (plasma-etched)处理，牺牲层则会经过电浆去灰 (plasma-ashed) 处理，以便制造出层间的空气间隙 每 ...

× 1 超晶胞(补充图3)中顺时针(CW)和逆时针(ACW)手性自旋构型的能量差，提取DMI强度d，得到相应的公式:随着界面Co-Pt混合的增加，d不断减小(图5c中红线)，这与结晶度越高，DMI越大的实验观察结果一致。为了了解界面DMI的变化机理，我们计算了不同手性自旋织构之间的层分辨SOC能量差△Esoc。如图5d所示，界面结晶度完美时，DMI的主要贡献来自相邻的Pt层，这与Fert-Levy模型45一致。极化电子通过中间的Pt原子在Co原子之间转移，这些电子的自旋方向被Pt的大自旋轨道耦合所分散。当界面Pt与Co原子混合时，Co - Co - Pt三重态被打破，导致Pt层对CW手性DM ...

能谱由于在单晶胞中存在一个以上的等效实体而发生分裂，从而导致简并的断裂。在二维材料中，层间相互作用分裂了层内高频拉曼模。在一些TMD和黑磷中观察到了振动模态的Davydov分裂。由于这种分裂是层间相互作用的直接结果，分裂模式的数量和它们的位置敏感地依赖于层数，因此它们可以用作层数的指纹。关于昊量光电：昊量光电 您的光电超市！上海昊量光电设备有限公司致力于引进国外先进性与创新性的光电技术与可靠产品！与来自美国、欧洲、日本等众多知名光电产品制造商建立了紧密的合作关系。代理品牌均处于相关领域的发展前沿，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、 ...

合物的三维单晶胞图，(b)是同一单晶胞的二维单晶胞图。倒易点阵点和约简brilion区如图(c)所示。(d)显示了沿K-Γ-M的近自由电子带结构，并标记了Γ点群的不可约表示。图2.GaS (a)、GaSe (b)、GaTe (c)、InS (d)、InSe (e)、InTe (f)的单层能带结构。零点处虚线表示费米能级。第1个主要带结构研究表明，单层GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe和InTe的带隙在2.0 - 3.3 eV之间(图2)。在单分子层极限下，III-VI单硫族化合物具有准间接带隙，主要价带呈火山口形状。这种形状导致价带蕞大值与Γ点略有偏离。进一步的复杂性可以通过考虑SO ...