解释
中文：银锢锑碲系相变光存储材料；英文：Agln- SbTe system phase change materials的原理；中文：银锢锑碲系相变光存储材料；英文：Agln- SbTe system phase change materials的定义；中文：银锢锑碲系相变光存储材料；英文：Agln- SbTe system phase change materials是什么。
由银铟锑碲四元系统组成的、在激光作用下产生可逆相变的光信息存储材料。相变发生于非晶相和非晶相与晶相混合体之间，晶化过程由晶核形成过程控制，具有熔点低、写入灵敏度高、反射率对比度大、擦除率高等优点。是可擦重写CD光盘（CD-RW）的首选记录材料。
