解释
中文：锗锑碲系相变光存储材料；英文：GeSbTe system phase change materials的原理；中文：锗锑碲系相变光存储材料；英文：GeSbTe system phase change materials的定义；中文：锗锑碲系相变光存储材料；英文：GeSbTe system phase change materials是什么。
由锗锑碲三元系统组成的、在激光作用下产生可逆相变的光信息存储材料。相变发生于非晶相和亚稳相之间，晶化过程由晶体长大过程控制。具有写擦速度快、擦写次数多、读出信息稳定等优点。可用于可擦写的DVD 光盘和蓝光光盘（BD）。
