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单晶铁石榴石YIG球体和立方体
单晶钇铁石榴石YIG薄膜
注意到，传统磁光材料存在一些固有的问题，这些问题阻碍了它们在过去几十年乃至今天的继续使用。例如，人们注意到，在热磁写入过程中，当一个域被写入时，似乎会发生结构相变。当这种情况发生时，薄膜的局部写入区从具有较大磁光效应的低温相转变为具有弱磁光效应的淬火高温相(图3)。不幸的是，这种亚稳猝灭过程在几个读/写周期后导致磁光信号显著下降。因此，为了避免结构过渡到高温相，需要更多的热力学稳定的磁光材料。例如，通过将高磁光活性材料(如MnBi)与热力学稳定的化合物(如MnSb)结合，可以获得优越的磁光性能。因此，对MnBi1-xSbx，0≤x≤0.4，表明只有Mn含量超过50%的化合物才表现出良好的磁光性 ...
到其他类型的磁光材料。例如，可以利用法拉第效应分析更薄、更透明的薄膜。MOKE还可以用于在薄膜上进行磁写入，如图1a, b所示。因此，可以用磁探针的两端具有不同磁极性的磁探针尖端来写入薄膜，因此用探针的一端写入时显示为暗，而用另一端写入时显示为亮，这取决于各自区域的磁化方向。当然，整个过程与磁畴磁光观测在相同的实验条件下进行，即垂直于薄膜表面发射偏振光，同时使用光学分析仪进行光检测。还应该注意的是，在这个例子中，整个薄膜垂直于表面磁化，为了使书写不容易受到杂散场的干扰，薄膜必须具有很高的矫顽力。通过使垂直于表面的薄膜饱和或退磁，可以擦除薄膜上的文字。关于从薄膜上擦除磁性信息的一个有趣的建议涉及 ...
关。根据光与磁光材料相互作用方式的不同以及光与磁光材料相互作用产生的光学各向异性，磁光效应又分为法拉第效应、磁线阵双折射、塞曼效应、磁光克尔效应等。（１）磁光法拉第效应磁光法拉第效应又称磁光旋光效应，是指当一束线偏振光从磁光材料沿磁场方向透射时，由于材料折射率的不同，磁光材料中的左旋和右旋偏振光，即偏振面相对于入射光的偏振面偏转一定角度的一种磁光现象。法拉第效应产生的根本原因是磁光材料中的电子等磁性粒子发生光学跃迁。在磁场的作用下，这种跃迁使得在磁光材料内部传输的左旋圆偏振光和右旋圆偏振光产生一定的色散差，导致zui终透射光的偏振面相对入射光旋转了一定角度。（２）磁线振双折射当一束线偏振光以垂 ...
：磁矩方向与磁光材料表面垂直的极向克尔效应；磁矩方向同时平行于磁光材料表面和光线入射面的纵向克尔效应；磁矩方向与磁光材料表面平行但与光线入射面垂直的横向克尔效应。其中极向克尔效应即样品的磁化强度矢量垂直于样品表面，并且处在偏振光的入射面内，通常用来表征具有垂直磁各向异性的样品。纵向和横向克尔效应的样品磁化强度矢量都平行于样品表面，因此它们被用来表征具有面内磁各向异性的样品。同时，一般来讲，极向克尔效应的信号一般要比纵向克尔效应的信号大一个数量级，因此磁光克尔效应在表征垂直各向异性较强的样品时更有优势。对于面内各向异性较强的样品来说，由于横向的克尔效应的反射光的偏振面不发生变化，只有光强发生变化 ...
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