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激发态，再以辐射跃迁的方式发出荧光回到基态。激发停止之后，分子激发出的荧光强度降到激发最大强度时的1/e所需的时间被称为荧光寿命，它表示粒子在激发态存在的平均时间，一般被称为激发态的荧光寿命。荧光寿命仅仅与荧光物质自身的结构和其所处的微环境的极性和粘度等条件有关，而与激发光强度、荧光团浓度无关，因此通常来说是绝对的。通过测定荧光寿命，我们可以直接了解所研究的体系所发生的变化，了解体系中许多复杂的分子间作用过程。时间相关单光子计数法（TCSPC）是目前测量荧光寿命的主要技术，其工作原理如下图所示：使用一个窄脉冲激光激发样品，然后检测样品发出的第一个荧光光子到达光信号接收器的时间。由时幅转化器（t ...
，很快即以无辐射跃迁的形式衰减到亚稳态能级E2 上。由于Er3+ 在能级E2 上寿命较长，在其上的粒子数聚集越来越多，从而在能级E2和E1之间形成粒子数的反转分布。这样，当具有1550 nm波长的光信号λEr通过这段掺铒光纤时，处于亚稳态能级的粒子即以受激辐射的形式跃迁到基态，并产生和入射光信号光（1550 nm）完全一样的光子，从而大大增加了信号光中的光子数量，也即实现了信号光在掺铒光纤中输出时不断被放大的功能。因此，利用掺铒光纤即可制成掺铒光纤放大器EDFA。掺铒光纤纤芯中铒的掺杂浓度取决于光纤放大器的设计要求，通常掺杂浓度在100-1000×10-6 ，且集中在3-6 um的纤芯中。结语 ...
发态上，再以辐射跃迁的形式发出荧光并回到基态。将激发光关闭后，分子的荧光强度也将随时间逐渐下降。假定一个无限窄的脉冲光（δ函数）激发n0个荧光分子到其激发态，处于激发态的分子将通过辐射或非辐射跃迁返回基态。假定两种衰减跃迁速率分别为Γ和Knr，则激发态衰减速率可表示为：其中n(t)表示时间ｔ时激发态分子的数目，由此可得到激发态物种的单指数衰减方程：上式中衰减总速率的倒数τ＝(Γ＋Knr)-1即为荧光寿命。荧光强度正比于衰减的激发态分子数，因此可将上式改写为:该式中，I0即为分子受激发时的zui大光强。我们将该荧光强度下降至激发时的荧光zui大强度I0的1/e（约37％）所需要的时间，称为荧光寿 ...
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