展示全部
设计的气体源分子束外延(GSMBE)在n-InP基板上生长我们的结构。GSMBE反应器专门用于QCL的生长。反应器定期维护，以确保始终如一的高材料质量。对每个生长进行生长后表征，以确定设计参数和监测生长条件。利用扫描电子显微镜和高分辨X射线衍射仪对薄膜的厚度和组成进行了表征。实验和模拟(X ' Pert外延)激光芯X射线衍射曲线如图2所示。这两条曲线具有很好的一致性，确定了材料的组成。在X射线中，低背景和高阶超晶格的尖峰表明，超晶格中应变的增加伴随着尖锐的界面，卫星峰的半最大全宽(FWHM)最小为21.2弧秒。图2. 30级激光芯的实验和模拟x射线衍射曲线在过去的几年里，人们进行了一系 ...
合金薄膜通过分子束外延生长在500 μm取向蓝宝石(0001)衬底上的12 nm Pt缓冲层上，采用电子光刻技术制备了厚度为15 nm的CoPt3点。它们具有较大的垂直磁晶各向异性和铁磁行为，其特征是定义良好的平方磁滞回线，矫顽力场为±3.7 kOe。圆点的直径可在0.2 ~ 1 μm范围内变化。下面只给出1 μm点的结果。图1实验配置能成像纳米结构的形貌以及磁化的动力学。图1为泵脉冲激励后直径为1µm的CoPt3点在不同时间延迟下的微分磁化图像。注意，在当前的测量中，激发不是固定在点的中心，而是在成像过程中与探针光束一起移位。图a、b和c的序列表明，可以监测磁点磁化的空间动态。了解更多详情， ...
合金薄膜通过分子束外延生长在沉积在500 um取向蓝宝石(0001)衬底上的12 nm Pt缓冲层上，通过电子光刻制成的圆盘的直径为0.2 ~ 1m，圆盘之间的距离为0.5 ~ 2um。图2图2(a)表示时间的变化泵浦激励密度为4 mJ cm−2，外加磁场设置为3.5 kOe，使静态磁化达到饱和。插图描绘了超快磁化动力学的详细视图。图2(b)表示类似的曲线，但激发密度为8 mJ cm−2。初始退磁发生在泵浦脉冲期间，对应于自旋的激光加热，发生在电子的热化过程中由于探针脉冲持续时间为180秒，这里的热化过程没有得到解决。注意，对于zui大激励密度[图2(b)]，初始退磁完成。然后再磁化发生在两个 ...
椭偏仪在位表征电化学沉积的系统搭建（一）-基本原理利用椭偏仪可以精确测量薄膜的厚度和光学常数，其测量原理基于不同偏振光(S，P)与材料的作用。如图1-1所示的单层薄膜模型中，所测的薄膜在衬底上，zui上层为空气，薄膜两侧介质都是半无限大，且薄膜上下表面皆是理想光滑表面，三种介质皆为均匀、各向同性介质。在实际测量过程中，单层模型的三种介质通常指的是空气、待测薄膜和基底。图1-1 光波在多层膜上的反射与透射光波在单层膜上的反射和透射示意图如图1-1所示。定义入射光波矢量E在垂直于入射面上的分量为P光，在入射面上的分量为S光。由折射定律及菲涅耳定律知、、的关系为：上述式子中，n1是空气的折射率(1. ...
椭偏仪在位表征电化学沉积的系统搭建（二）-在位监控原理1.椭偏仪的在位监控半导体工艺比如CMOS的制作过程，会涉及到结构或者厚度的监控。例如在光刻前后，或者沉积与腐蚀过程，需要控制薄膜的厚度。而椭偏谱可以快速且无损伤进行测量，并且其测试精度可以达到原子级别，因此广泛应用于半导体制备工艺的在位监控中。比如，典型的32nmCMOS制做过程中大概会需要100次厚度的测试控制，而其中就有80次厚度测试需要利用椭偏谱对其厚度进行监控。通常要解构薄膜的厚度，会涉及到有效介质模型近似和Drude+Lorentz Oscillator模型的使用。利用椭偏仪不仅可以得到厚度信息，还可以得到薄膜的光学性质等信息， ...
验表明，对于分子束外延生长的单层和双层InSe，价带zui大值和zui小值的能量分离为~ 100 meV。这和的宽度在同一个数量级上PL(图1、2a和2b)表明低能尾的极化减少可能是由于价带的散射。如果您对磁学测量有兴趣，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/three-level-150.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光 ...
或 投递简历至: hr@auniontech.com
