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统，研究了在零偏压下基于MoS2二维材料同质p-n结器件中光电流的分布情况。结果表明，光照下MoS2同质p-n结中光电流的产生主要来源于p-n结区。具体而言，掺杂类型不同的MoS2薄片中能带失配产生内建电场，当光辐射到2片MoS2薄片的重叠区域（结区）时，光生载流子在内建电场的作用下分离进而产生光电流。而当光仅仅辐射在单个MoS2薄片上时，光生载流子会很快复合，导致无光电流产生。特别是，作者通过光电流成像发现有效结区面积是直接测量得到的纳米薄片重叠面积的1/2左右，因此器件光电转换效率实际被低估了一倍左右。通过光电流成像的校正，器件的实际光电转换效率达到1%。相关研究成果发表在Small Me ...
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