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结则是由一个P型半导体和N型半导体组合而成。N型半导体：N型半导体是在纯净的硅晶体中掺入五价元素（磷和砷）组成的。杂质中四个价电子与硅组成共价键，剩余一个称为自由电子（载流子）。因此N型半导体中载流子是自由电子。P型半导体：P型半导体是在硅中掺杂三价元素（硼）组成的。它和硅中价电子组成共价键时由于缺少一个价电子，从而形成空穴（载流子）。因此P型半导体中的载流子是空穴。将P型半导体与N型半导体结合之后，由于两侧存在浓度差（N区多自由电子，P区多空穴），就形成了PN结（阻挡层）。N区自由电子向P区扩散，P区空穴向N区扩散，N区就形成带正电离子，P区就形成带负电离子。于是PN结形成了由N区指向P区的 ...
压的情况下，P型半导体中多数载流子空穴的分布是均匀的。在栅极施加小于P型半导体阈值电压Uth时，在半导体内产生耗尽区。当栅极电压继续增加，并大于阈值电压后，耗尽区的深度和栅极电压成正比。将半导体与绝缘界面上的电势记为表面电势Φs，表面电势随着栅极电压Ug的增加而增加。下图描述了二者在不存在反型层电荷时，不同氧化层厚度下表面电势和栅极电压之间的关系。从曲线中看出，氧化层厚度越薄，曲线的直线性越好。当栅极电压Ug不变时，表面电势Φs和反型层电荷密度Qinv之间的关系。下图可以看出，Φs随着Qinv的增加而线性减小。电子之所以被吸附到半导体和氧化层的交界面处，是因为那里的势能最低。在空势阱情况下，不 ...
分为n型或者P型半导体如图1-8所示。在Cu2O中，铜空位出现浅的受主能级，氧间位形成深能级缺陷，形成能分别为1.8eV、1.3eV。铜间位出现在深能级，形成能为2.5eV左右。氧空位具有相对较低的形成能，但是它不稳定。通常情况下容易得到Cu空位P型Cu2O半导体。图1-8(a)为铜多氧少(b)为铜少氧多情况下Cu2O本征缺陷的形成能实验室前期通过电化学沉积控制生长条件可得到n型的Cu2O半导体。如图1-9所示，在特定的电压、pH和温度下才能实现Cu2O的电化学沉积。前期研究发现在不同电压下制备的薄膜有Cu2O相、Cu-Cu2O相和Cu相等不同的相。沉积电压对Cu2O薄膜的形貌、光学性质影响较 ...
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