助力砷化镓准费米能级映射砷化镓（GaAs）作为一种you秀的III-V族半导体化合物，在光伏应用中广泛受到青睐，这归功于电子迁移率、直接带隙和精密调控的生长机制。GaAs单结器件已经实现了效率，接近惊人的30%阈值。迅速成为薄膜太阳能电池的优质材料。Photon etc.公司的基于体积布拉格光栅的高光谱成像平台（IMA）可以对GaAs进行表征，IPVF（以前称为IRDEP-光伏能源研究与开发研究所）的科学家利用IMA系统对GaAs太阳能电池进行表征。成功地在标准GaAs太阳能电池中获取了光谱和空间分辨光致发光（PL）图像。他们利用532nm激光器通过显微镜物镜实现了整个视场的均匀照明，从而使得 ...
直接相关的准费米能级分裂（Δμeff）（见图1（c）和（d））。借助太阳能电池和LED之间的互易关系，可以从EL图像中推导出外部量子效率（EQE）。在样品的整个表面上获得微米级的基本特性有助于改进制造工艺，从而达到更高的电池效率。图2.（a）集成PL发射和（b）集成EL发射的高光谱图像。使用广义普朗克定律，可以推导出（c）和（d）Δμeff映射。改编自[3]。了解更多详情，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/details-1007.html相关文献：[1] Yoshida S. et al. 2019,Solar frontier achiev ...
点处虚线表示费米能级。第1个主要带结构研究表明，单层GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe和InTe的带隙在2.0 - 3.3 eV之间(图2)。在单分子层极限下，III-VI单硫族化合物具有准间接带隙，主要价带呈火山口形状。这种形状导致价带蕞大值与Γ点略有偏离。进一步的复杂性可以通过考虑SOC效应的扰动来获得，这在GaSe和InSe中已经得到了广泛的研究。原子荷电性导致自旋态分裂和能带混合，而晶体对称性产生的荷电性会导致额外的自旋分裂并影响自旋弛豫。当考虑N(层数)大于时，这些系统的复杂性会加深。层序和层数可以改变带隙，改变初级价带形状，诱导铁电，调节自旋弛豫。其他效应，如铁磁性，预测 ...
指电子处的准费米能级和空穴接触在照明下的分裂。通常，测量有效QFLS（Δμeff），因为照明的样品区域不是无限小的，并且延伸到具有多个晶界的较大区域。这些内部接口会导致内部损耗降低理想的QFLS。太阳能电池在热平衡和室温下的PL发射ΦPL可以通过广义普朗克定律使用黑体的玻尔兹曼近似来描述。由于太阳能电池不是理想的黑体，因此必须考虑样品吸收率，即吸收的光子与入射光子数的比率或吸收概率。光子发射的有效角度通常小于整个半球。只有在低于临界角的角度下发射的光子才能离开钙钛矿样品表面，而在较高的角度下会发生全内反射。在进行局部QFLS的计算之前，必须首先确定PL发射光谱的中心波长（PL峰值位置），因为该 ...
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