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本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。光刻半导体芯片二氧化硅的主要步骤包括涂布光致抗蚀剂、套准掩模板并曝光、用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层,以及去除已感光的光致抗蚀剂层。在光刻系统中,激光的指向稳定非常重要,会直接影响光刻的图形准确性和一致性。影响光束指向稳定的主要因素有三个,分别是激光器本身的位置偏移,处于不同基座上的激光器和照明系统之间的振动差异性以及传输过程中的光学系统的扰动。这些扰动会对光刻的质量造成严重影响。首先,激光指向的稳定性对于确保图形的精确刻蚀至关重要。在光刻 ...
柯西系数如果光致抗蚀剂的柯西系数不可用–使用类似光致抗蚀剂的柯西系数作为起点。步骤 2:创建胶片堆栈Filmstack 代表物理样本的模型- 它定义了基材和材料层。如果3000nm 的光刻胶沉积在Si 晶圆上,薄膜叠层将是Si 衬底/3000nm PR。这里PR 将是步骤1 中定义的光刻胶材料。步骤 3. 进行测量测量实际上是一个两步过程:数据采集和数据分析。它们由 TFCompanion 软件透明地处理。在第1次测量期间,可能会也可能不会得到完美的结果——需要调整胶片叠层。如果光刻胶的厚度足够厚(> 1um),可以从厚膜(基于FFT)算法开始。一旦确定了厚度,就可以使用曲线拟合(Mar ...
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