部照明造成的载流子复合即使在较低功率下可获得高信噪比图像。2)整视野面成像,采用光谱扫描,成像速度快,150150μm 2成像范围仅需8分钟。3)可做绝对校准,获得光谱绝对强度,获取器件光电特性如EQE,Voc等4)可选择不同波长的激光作为激发光源5)集荧光成像、电致发光、光致发光、透射率、反射率成像等诸多功能于一体。参考文献:[1]Delamarre A. , Paire M., Guillemoles J.-F. and Lombez L., Quantitative luminescence mapping of Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells, ...
。它们具有高载流子迁移率、对可见光吸收率高和可调谐的带宽使其成为低成本太阳能电池的选择。但是钙钛矿却有一个缺点,它们的稳定性是不稳定的,它们当前的寿命只有2000小时,远远小于硅的使用时间(52000小时)。如果想要将这一新的光伏之星推向市场,更好的理解光物理学和降解机制变的尤为重要。 Photon Etc.的IMA面成像高光谱显微设备可解答研究人员关于为什么钙钛矿具有杰出性能的疑问。IMA可以通过光学测量快速表征二维和三维钙钛矿晶体以及完整的光伏器件的结构特性。该设备采用光谱扫描方式,在大面积区域(100 x 100μm2 - 1 x 1 mm2 )上获得材料的荧光和透射图谱成像图,不需要 ...
性参数,例如载流子扩散长度,耗尽层宽度等等。可以更好地揭示器件内部的工作机制,为器件的结构设计与性能优化提供了方向性的指引。最近几年,光电流成像系统在各类纳米光电子器件研究中应用颇多。尤其是在过渡金属硫化物TMDS以及黑鳞BP等二维材料领域日趋火热,这类新型二维材料的性能以及器件工作机制上和传统半导体区别极大,借助光电流成像系统则成为了一种研究内在机理的重要手段。目前研究所常用的光电流成像系统,为了提高灵敏度和信噪比,往往需要使用锁相放大器和光学斩波器,会极大地增加整套系统的花费。而我司独家代理的Nanobase的光电流成像系统,在显微共聚焦拉曼的基础上,可以方便的扩展微区光电成像功能,具有较 ...
面结构,控制载流子密度或通过外部刺激进行相变来原位调节红外发射率.适当的电子结构调节是调节红外发射有效的方法.然而这些材料通常生长在硬质基底上,调节范围非常有限,因此一种可调红外发射率的柔性材料备受瞩目.本文介绍了国防科大江天老师课题组柔性石墨烯基的红外器件研究工作,如有需要也可直接参考原文。01 制备过程如图是该器件的制备过程示意图.石墨烯生长基底镍在饱和氯化铁水溶液中被蚀刻掉,从而在溶液表面形成独立的多层石墨烯膜(如图一b所示).将多层石墨烯膜转移到去离子水中以去除残留的FeCl3,如图一c所示.将多层石墨烯转移到多孔聚乙烯膜上(聚乙烯膜红外透明且柔软)为了除去残留的水,将多孔聚乙烯膜上的 ...
光激发产生的载流子将在扩散机制、漂移机制和光生伏打效应的影响下运动,载流子的不均匀分布最终导致介质材料中产生电场(如下图所示),再由电光效应造成材料折射率发生变化,整个改变过程的建立需要一定的时间,而且产生现象的光照强度阈值非常低,不需要很强的光照也可以使光折变材料产生光折变效应。什么叫光诱导法的激光写直光波导?光诱导法利用光折变材料的光折变效应制备光波导。它需要利用到无衍射光斑,先生成环形无衍射光斑,再将环形无衍射光斑照射进光折变材料,在光折变材料中留下环形包层结构。比如利用纯相位空间光调制器对高斯分布的入射光进行相位调制,产生无衍射贝塞尔光束,并将生成的无衍射贝塞尔光束以一定的功率照射光折 ...
高光谱成像在钙钛矿光谱和空间分析的应用一、钙钛矿器件光致发光和电致发光成像瓦伦西亚大学的Henk Bolink博士与IPVF(前身为IRDEP-法国光伏能源研究与发展研究所)的研究人员合作,研究了具有不同电子传输层(PCBM和C60)的混合有机-无机甲基碘化铅钙钛矿(CH3NH3PbI3)太阳能电池的性能。用IMA获得的发光高光谱数据有助于识别此类器件中的严重不均匀性(图1)。这些空间不均匀性与载体提取问题有关,导致细胞的填充因子有限。图1根据在1.15V和1.16V施加偏置下拍摄的EL高光谱图像计算的当前传输效率fT图。对于使用PCBM(a,c,器件A)或C60(b,d,器件B)作为电子传输 ...
此对于金属和载流子浓度较高的半导体材料,其介电常数可以用Drude+Lorentz Oscillator模型模型进行描述:其中为高频晶格介电常数,wp为等离子体频率,v为阻尼频率,Ecenterr为振子的中心能量,Aj为j振子的振幅。Aj振幅和横向和纵向的声子频率有关,,其中WL为横向声子频率,为纵WT向声子频率。m为振子的数目。了解更多详情,请访问上海昊量光电的官方网页:https://www.auniontech.com/three-level-56.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制 ...
光原理是基于载流子通过p-n结的电致发光。一般来说,发光二极管工作时就是一个普通的半导体二极管:应用前导偏置产生一个流过p-n结的电流。外电场使电子-空穴对进入势垒区的节点界面,在这里发生复合。复合可以是一个自发的辐射过程,也可以是晶体材料以振荡形式将能量释放到晶格的非辐射过程(成为声子)。这个产生额外载体和随后注入载体的重新组合称为注入式电致发光。发光二极管发射的几乎都是单色非相干光。发射光子的能量和发光二极管辐射光的波长取决于半导体材料形成p-n结的带隙能。发射光子的能量近似由下列表达式决定:式中,h为普朗克常量;v为辐射光频率;Eg为带隙能,即半导体器件导带和价带的能量差。电子和空穴的平 ...
区的单个电荷载流子随后在偏置场中被放大为电子雪崩,即所谓的雪崩击穿,如图1(b)所示。这些雪崩可以被检测为强电流尖峰。图1 单光子雪崩二极管的示意图 (a)用作SPAD的穿透p+-π-p-n+APD结构的截面,包括反向电压下的空间电荷分布。右边的图显示了电场的强度。p+和n+区域是重掺杂的。(b) 反向电压下SPAD中的电荷载流子倍增漂移过程由VOP驱动,并受到载流子与半导体晶格碰撞的限制。当电子到达倍增区时,一个具有高电场|−→E(−)|的薄p−n+结,通过重复的冲击电离产生一个具有数百万二次电子的雪崩。在apd中,放大随着反向偏置VOP的增加而增加。如果VOP高于击穿电压Vbreak,放大 ...
)泵浦脉冲、载流子寿命和所选探测器的限制。大多数商业上可用的太赫兹时域光谱仪(THz-TDS)使用PCA结合离轴抛物面镜(OAPMs)作为基础。紧凑和坚固的THz-TDS的应用迅速从第1个报道的水汽吸收表征的用例扩展到其他研究学科,甚至包括(艺术)保护和考古学。到目前为止,对于THz-TDS成像,只报道了多像素探测器的原型;图像采集需要对样本进行连续扫描,但不能提供实时数据。然而,扫描THz-TDS为工业应用中太赫兹成像的适应铺平了道路。g.漆面厚度测定方法。由于PCA的广泛应用,太赫兹成像非常有吸引力。例如,斯坦切夫等人。使用PCA进行实时单像素成像。他们通过数字微镜设备调制太赫兹波束的方法 ...
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