中文：衬底；英文：substrate

应用。不同的衬底会对生长的二维材料产生影响，使它们的形态，晶体质量，光学性能等被改变。云南大学杨鹏教授课题组研究了衬底对CVD生长MoS2和WS2的影响。本文主要使用SiO2/Si,Si,石英作为衬底生长二维材料。形态&晶体质量如上图a所示，SiO2 / Si衬底上的CVD生长的MoS2具有规则的三角形形状，具有清晰的分层结构，说明了合成了不同层数的MoS2。d是在Si衬底上生长的MoS2,图中只能看到针状纳米棒的合成。接着用PTCDA处理了SiO2/Si,Si，PTCDA充当CVD外延生长的成核中心，并有助于在这两种基底上获得相对较大的二维MoS2。但是图2b,e所示的MoS2结晶性 ...

过程向材料的衬底走，进而再次达到平衡状态；热点形成到消失产生的电压脉冲表示检测到光子NbN超导检测器具有极低的时序抖动，其光谱灵敏度范围从可见光到中红外范围。SSPD的暗计数率极低，通常低于每秒1个计数，并且没有后脉冲。检测器的有效面积约为10 um2探测效率与暗计数系统组成 ...

)红色硬纸板衬底上的血迹(b)深蓝色牛仔裤上有两个沾有血迹的指纹(c)深蓝色卡片上有两处血迹(d)四个污点，(A)红色圆珠笔，(B)咖啡污渍，(C)红糖污渍和(D)深灰色棉花上的血迹二、淤青老化及检测应用领域:•家庭和儿童虐待案件•对事件的叙述进行核实/反驳(如“他星期五在学校摔倒了”→在周末进行真相剖析)•擦伤的形状-咬痕等•监测受伤情况，估计事故发生的时间相比其他技术的好处:到目前为止，医生是根据颜色来估计瘀伤的年龄的，然而这种估计是非常主观的，因为人们对颜色的看法是不同的。IQ提供了对瘀伤部位和年龄的准确和客观的判断。文章题目: Can colour inhomogeneity of b ...

能器的蓝宝石衬底进行连续波和脉冲FDTR测量的计算信号。对于脉冲解决方案，延迟时间固定为100 ps图3.来自CW和脉冲FDTR在蓝宝石衬底的不同参数上比率信号的灵敏度系数R =–Vin/Vout，蓝宝石衬底由100 nm铝传感器覆盖，使用w0=5 μm的光斑尺寸。脉冲FDTR的延迟时间固定在100 psTDTR实验的灵敏度分析可以类似地应用于FDTR。虽然有使用相位信号φ来导出热特性的情况，但是为了一致性，比率信号R这里使用-Vin/Vout，相当于相位信号φ = -arctan(Vout/Vin)。图3使用w0=5微米的光斑尺寸，比较了在0.05–20兆赫调制频率范围内，连续波和脉冲FDT ...

在Al2O3衬底上沉积的MoS2薄膜的层数可以直接由ALD循环次数控制。通过使用拉曼光谱（XperRam C，NANOBASE，532nm激光光源下，激光光斑尺寸为1mm，功率为0.6mW）证明了薄膜层数和ALD圈数之间成线性关系，且随着薄膜层数的增加摩擦减少，即随着MoS2厚度的增加，受基地影响的的2D MoS2的层相关摩擦性能减弱，如图1（a）和图1（b）所示。除此之外，通过高斯公式计算摩擦力的分布可以得到每次等离子处理的平均摩擦力，且发现等离子处理10s的Al2O3基地上沉积的MoS2的平均摩擦为1个ALD循环，并且其值最低，如图1（c）所示。基地表面上的官能团可以通过O2等离子处理获得 ...

纤光栅镶嵌在衬底材料的表面。由于衬底材料的热膨胀系数较大，当温度变化时，这样可以增大光纤光栅的纵向应变，从而提高温度灵敏度。铝合金通常在实际应用中被选择作为衬底材料。常采用槽结构封装的光纤光栅温度传感器设计理念。封装结构如下图所示，将光纤光栅用环氧树脂封装固定在一个刻有细槽的铝板内（铝板为铝合金），细槽中心要与铝板中轴线保持平行。当封装的时候，要保证光纤光栅平直，并处于细槽的底面轴线上。当注入环氧树脂时，要对其进行适当加热，目的是增加环氧树脂的流动性，以达到减小气泡形成的效果，当细槽内充满环氧树脂，又不溢出槽外时，便于加盖封装固定。在铝板四个顶角上制作四个螺孔，图中左边的两个的起到把铝条与被测 ...

可以用作芯片衬底。该芯片的铂层或ITO层可以在3分钟(铂)到30 s (ITO)之间进行加工。同时，在厚度为100 nm 到1 µm的氮化硅中，打开钝化窗口是成功的。在传感器芯片上，以前用于isfet的氮化硅层首次被用作电位ph传感器的敏感材料。比较了不同层厚度的灵敏度和再现性。在室温下，自制的60 nm薄膜的灵敏度可达-53.8 ±1.8 mV/pH，Z大漂移率为0.151 mV/h。由于安培式氧传感器没有氧选择性膜，因此必须考虑细胞培养基中各组分的影响来对其进行表征。循环伏安法测量证实细胞培养液中不含影响测量的电活性物质。由于材料和结构的原因，有必要将工作电位降低到- 650 mV相对于A ...

匹配于InP衬底这种特殊的材料系统的导带偏移量(量子阱深度)为520 meV。这些基于InP的器件在中红外光谱范围内达到了非常高的性能水平，实现了高于室温的高功率，连续的波发射。1998年，Sirtori等人实现了GaAs/AlGaAs QCLs，证明了QC概念并不局限于一个材料系统。这种材料系统的量子阱深度随势垒中铝的含量而变化。虽然基于GaAs的QCL在中红外波段的性能水平无法与基于InP的QCL相匹配，但它们已被证明在太赫兹频段非常成功。QCLs的短波长限制是由量子阱的深度决定的，近年来，为了实现短波长发射，在具有非常深量子阱的材料系统中开发了QCLs。InGaAs/AlAsSb材料体系 ...

n掺杂InP衬底中具有高的自由职业吸收而具有很高的损耗。由于在太赫兹范围内相对于中红外指数(nmidir)有更快的频率依赖有效指数，模态相位匹配只能在相对较窄的频率范围内满足。为了克服这一限制，可以用半绝缘的InP衬底代替有损耗的衬底，并使用Čerenkov相位匹配方案从腔中提取THz光，如图9(b)[41,42]所示。在Čerenkov构型中，QCL有源区的THz指数(nTHz)高于中红外指数，因此基波中红外波的传播速度快于DFG太赫兹波。这种相位匹配方案，加上复合DFB阵列设计，允许产生宽范围的单模太赫兹，即达到1.0至4.6太赫兹(图10(c))。图10.室温下高峰值功率(a)、连续波工 ...

mm MgO衬底上制备楔形Ta/Pt/[Co/Pd]2/Co/Ru/[Co/Pd]3/Co/Ru SAF薄膜，在基底真空优于8.0 × 10−5 mTorr的条件下，工作氩气压力为3 mTorr。楔形Pt层是在沉积过程中通过移动挡板生长的。采用电子束蒸发法制备了Ta/Pt/[Co/Pd]2/Co/Pd铁磁堆，基压为5 × 10−6 mTorr。设备是通过标准光刻和随后的氩离子铣削的方式。磁化和输运测量在5 μm通道宽度的霍尔十字槽中，通过四点测量，在室温下对异常霍尔效应和电流诱导磁化开关进行了研究。磁畴图像和磁滞回线是使用VERTISIS MagVision Kerr成像系统捕获的，该系统利用 ...