昊量光电新推出太赫兹电磁场传感器使用由铌酸锂薄膜制成的马赫-曾德尔调制器来探测太赫兹波。在时域太赫兹光谱学应用中，该电光太赫兹传感器可以代替笨重的基于偏振调制的光学元件。光纤电光太赫兹传感器可以实现高空间分辨率，并且可以在直流频率附近工作，蕞高可达几个太赫兹。传感器可以采用全介质材料，也可以采用太赫兹天线。对于低太赫兹场值，天线可以将灵敏度提高10倍。介电型传感器不干扰被测电场，可用于高太赫兹场的应用。由于使用了光纤电缆，因此不需要校准，并且传感器可以很容易地放置在太赫兹波束路径中进行太赫兹信号的采样。电光太赫兹传感器工作在1550nm的眼睛安全波长。该器件可用于取代太赫兹时域光谱应用中笨重的电光采样晶体。
太赫兹电场传感器由一个光纤耦合马赫-曾德尔调制器组成，该调制器具有一根输入光纤和两根用于平衡检测的输出光纤。光纤电光太赫兹传感器的光学电路示意图如下所示。该传感器由一个输入光栅耦合器和两个输出光栅耦合器组成。在输入和输出耦合器之间，有一个马赫-曾德尔调制器部分。马赫-曾德尔调制器的两臂方向相反。当电场作用在器件上时，由于调制器的极化作用，器件一侧臂的折射率增加，另一侧臂的折射率降低。因此电场对光信号进行调制。由于采用了铌酸锂薄膜，射频信号和光信号的相位匹配良好。因此，高带宽可达几个太赫兹。
光纤电光太赫兹传感器产品特性：
基于铌酸锂薄膜的研究
电光马赫-曾德尔调制器
直流频率到太赫兹频率
所有介电材料
不受电磁干扰
高空间分辨率
光纤电光太赫兹传感器Mach-Zehnder THz sensor, P/N MZ-XX-Q-B-YY
| 参数 | 高带宽 | 高灵敏度 |
| 动态范围 | 10 V/m – 2MV/m | 1 V/m – 200kV/m |
| 灵敏度 | 10 V/(m. Hz 0.5) | 1 V/(m. Hz 0.5) |
| 选择性（正交成分抑制） | >30 (dB) | >30 (dB) |
| 光学插入损耗 | -12 (dB) | -12 (dB) |
| 工作波长 | 1550 (nm) | 1550 (nm) |
| 测量方向 | PL: Parallel | PL: Parallel |
| -3dB带宽（光耦合器） | 50(nm) | 50(nm) |
| -3dB 调制器带宽* | 600 GHz | 60 GHz |
| 有效相互作用长度 XX | 600 microns | 6000 microns |
| Ep | 23 MV/m | 2.3 MV/m |
| 传感器尺寸 | 3(mm) x 25(mm) | 3(mm) x 25(mm) |
| 光纤长度 | 1(m) | 1(m) |
| 光纤及接口 | 3 PM, FC/APC | 3 PM, FC/APC |
光纤电光太赫兹传感器电场THz 传感器控制器, P/N: L-1550-THz-D-400-B
| 参数 | 数值 | 备注 |
| 激光功率 | 10 (mW) | |
| 工作波长 | 1550 (nm) | |
| 测量范围 | 1 GHz – 1 THz | 取决于传感器 |
| 典型响应增益 | 0.4 (μV/(V/m)) | 0.04(μV/(V/m)) for 600micron devices |
| 蕞大输出频率 | 100 MHz | |
| 尺寸 | 300x264x134(mm) | 可低至6ps |
| 重量 | 1 (kg) | |
| 输出 | SMA-50 ohm | |
| 供电 | 110-220 volt, 50-60Hz |
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