对光谱型椭偏仪校准结果受测量模型影响大的问题进行研究，提出一种不受测量模型影响的校准方法，即通过校准椭偏角实现光谱型椭偏仪的校准。
光谱型椭偏仪的校准（一）-椭偏仪校准思路
在分立器件和集成电路的制造过程中常用到各种不同的薄膜，如热氧化膜 (二氧化硅Si〇2薄膜）尧电介质膜 (Si3N4薄膜)等。薄膜厚度是一个重要的参数，对各种薄膜厚度参数的精确、快速测定和控制，是保证器件质量、提高生产效率的重要手段。光谱型椭偏仪是半导体和微电子领域使用广泛的薄膜厚度测量仪器。为了保证光谱型椭偏仪测量结果的准确可靠，通常会使用薄膜厚度已知的膜厚标准样片对椭偏仪的薄膜厚度测量能力进行校准。一般情况下膜厚标准样片的衬底材料为硅，薄膜材料为热氧化生长的二氧化硅。
由光谱型椭偏仪测量原理可知：椭偏仪在测量薄膜厚度时，得到的直接测量量为椭偏角（
和
），薄膜厚度量值是通过建立相应测量模型进行椭偏角拟合得到的。因此，椭偏角的测量准确度体现了光谱型椭偏仪的硬件性能，薄膜厚度的测量准确度体现了光谱型椭偏仪硬件和测量模型的综合性能。测量模型是椭偏仪的核心技术，出于技术保护，各椭偏仪生产厂家都有自己的测量模型，这就导致使用不同厂家生产的仪器测量同一薄膜厚度时，结果会出现较大的偏差，薄膜厚度的测量结果受测量模型的影响很大。为了消除测量模型对光谱型椭偏仪校准结果的影响，本文提出了一种基于椭偏角的光谱型椭偏仪校准方法。
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